北一半导体将完成1.5亿元B+轮融资，聚焦SiC MOSFET

近日，北一半导体完成B+轮融资，由上海吾同私募基金管理有限公司领投的1亿元资金已经到位，另有5000万元投资金额在结尾工作中，预计本轮融资总额将达到1.5亿元。

北一半导体表示，本轮融资资金将主要用于SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。

北一半导体将以本次融资为契机，进一步加强技术研发和产业化布局，力争在第三代sic mosfet领域取得更大的突破和成就。

北一半导体成立于2017年，总部位于深圳市，生产基地位于黑龙江省穆棱市，是一家专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售的厂商。北一半导体目前在研产品包括精细沟槽栅IGBT芯片、沟槽栅SiC MOSFET芯片、双面散热模块等，产品广泛应用于工业变频、感应加热、新能源汽车、风电及光伏领域。

在业务方面，北一半导体于2018年成立SiC芯片开发项目组，2023年完成650V及1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片设计。2023年1月，北一半导体新建二期厂房正式全面投入使用。二期占地面积超过12500平米，产能进一步扩大，能够满足HPD模块、IGBT模块、PIM模块、IPM模块、SiC模块大量生产条件。