专注芯片半导体功率器件制造，芯科半导体完成A+轮融资

近日，芯科半导体完成A+轮融资，投资方包括了中赢创投。本轮融资主要用于产线建设与基建建设。

芯科半导体是中国碳化硅（SiC）第三代半导体掺杂技术研究及器件研发、设计、制成、应用、销售为一体的机构。致力于大功率半导体芯片结构设计和外延生长、MOSFET、IGBT芯片设计与应用、第三代半导体功率器件封装与散热，公司向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和服务。

公司的技术优势有以下三点，一是提出了第三代半导体掺杂机理，实现相关模拟计算；二是控制温场和流场分布、降低缺陷并增加外延厚度，获得均匀的SiC同质异性外延厚度高于200μm；获得器件的击穿电压高于20kV，载流子迁移率高于15cm2/V·s，正向电流密度高于100A/cm2 ；三是采用高速-低速，高温-低温，单源-多源的有机结合，实现半导体精准可控掺杂SiC功率器件得到了国家青年“973“项目的支持 。

据悉，公司的基础核心产品以SIC肖特基二极管、MOSFET管为代表，其中600V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的碳化硅肖特基二极管、MOSFET管产品已经投入批量生产。