和利资本领投，第三代半导体企业宽能半导体完成超2亿元天使轮融资

近日，第三代半导体企业宽能半导体宣布完成超2亿元天使轮融资，本轮融资由和利资本领投，渶策资本、云启资本、国中资本、毅达资本、金浦投资、亚昌投资、君盛投资、富华投资共同参与投资。

和利资本合伙人曾国益表示：“碳化硅赛道发展较晚，全球范围内具备碳化硅产线规模量产经验的人才非常稀缺。宽能团队源自于全球数一数二可以规模量产全系列碳化硅器件的代工厂，核心骨干皆具备20年以上的代工厂产线经验以及10年碳化硅产线量产经验，并实际作为核心团队走过从0开始到工艺建立、可靠度提升、良率提升到大批量量产出货全流程，掌握碳化硅工艺与材料Knowhow ，可以快速建立起具备竞争力的世界一流碳化硅器件代工厂。”

根据 Yole 预测，到 2025 年新能源汽车将是碳化硅功率器件最主要的应用。随着新能源汽车销量的快速提升，碳化硅功率器件在电机驱动、OBC、DC/DC等部件中的应用还将为其打开更加广阔的市场。全球电动汽车领导者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作为其马达逆变器解决方案，以取代传统硅基IGBT。预计未来新能源汽车上碳化硅MOSFET的需求量将远超于碳化硅二极管，无法生产高良率碳化硅MOSFET的器件厂将失去市场。而器件制造作为碳化硅产业链的重要环节，对产品的良率和性能起到决定性作用。

南京宽能半导体有限公司成立于2021年11月，公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家，掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术，并具备20年以上相关产品量产经验。公司首条产线落地南京，正在建设中，建成后将是国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。

宽能半导体深耕功率半导体器件代工领域，为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产，促进工艺技术迭代。同时公司支持新产品开发，提供客制化工艺服务。公司同时具备沟槽型MOSFET工艺。由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。